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元件参数资料
>
参数目录40446
> FDC6401N MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
型号:
FDC6401N
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDC6401N PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Mold Compound Change 08/April/2008
产品目录绘图
MOSFET SuperSOT-6
标准包装
3,000
系列
PowerTrench®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫欧 @ 3A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
324pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SSOT
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDC6401N-ND
FDC6401NTR
查看FDC6401N代理商
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